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MRF6VP2600HR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. ?TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP2600HR6

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. ?TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP2600HR6

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP2600HR6

Package:NI-1230;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6VP2600HR6_10

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6VP2600HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    225MHz

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 輸出:

    125W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Freescale(飛思卡爾)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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我們只是原廠的搬運(yùn)工
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FREESCALE
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全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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FREESCALE
23+
TO-59
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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Freescale
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8898
全新原裝房間現(xiàn)貨 可長(zhǎng)期供貨
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更多MRF6VP2600HR6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 16:10:00