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MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V2150NBR1

RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V2150NBR1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-272BB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6V2150NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    220MHz

  • 增益：

    25dB

  • 功率 - 輸出：

    150W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRF6V2150NBR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-30 16:09:00

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