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MRF5812分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5812
廠商型號(hào)

MRF5812
參數(shù)屬性

MRF5812 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

125.09 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 20:00:00
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MRF5812規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

? Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

? Cost Effective SO-8 package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF5812

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
SOP-8
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
ON
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全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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原裝正品
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