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MRF5812

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF5812

NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: ?LowNoise–2.5dB@500MHz ?Ftau–5.0GHz@10V,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ASI

Advanced Semiconductor

MRF5812

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812G

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF5812R1

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812R2

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812GR1

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812GR2

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NTE5812

NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier

6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody

NTE

NTE Electronics

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF5812

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
10442
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
MOT(仁懋)
2023+
N/A
4550
全新原裝正品
 詢價
ON(安森美)
23+
11115
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ON/ONSemiconductor/安森
24+
SOP-8
6201
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價
MOT
24+
SOP8
5632
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!
 詢價
ON/安森美
22+
SOP-8
19800
原裝正品
 詢價
MOT
SOP8
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
Microsemi Corporation
2022+
8-SOIC
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
ON
2024+
SOP8
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價
Microsemi Corporation
24+
8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
更多MRF5812供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 16:29:00

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