MR2A08AYS35R 集成電路（IC）存儲器 EVERSPIN

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廠家型號：
MR2A08AYS35R
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
EVERSPIN
庫存數(shù)量：
6850
產(chǎn)品封裝：
44TSOP
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-10 10:20:00

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原廠料號：MR2A08AYS35R品牌：EVERSPIN

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MR2A08AYS35R是集成電路（IC） > 存儲器。制造商EVERSPIN/Everspin Technologies Inc.生產(chǎn)封裝44TSOP/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的MR2A08AYS35R存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
MR2A08AYS35R
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
EVERSPIN詳情
廠商全稱：
Everspin Technologies Inc.
內(nèi)容頁數(shù)：
15 頁
文件大小：
901.96 kb
資料說明：
512K x 8 MRAM Memory

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
MR2A08AYS35R
制造商：
Everspin Technologies Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
RAM
技術(shù)：
MRAM（磁阻式 RAM）
存儲容量：
4Mb（512K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
35ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP2
描述：
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市艾宇特電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機(jī)：
15817287769
詢價：
電話：
0755-83224028/83201767
地址：
深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

MR2A08AYS35R 集成電路（IC）存儲器 EVERSPIN

MR2A08AYS35R

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供應(yīng)商

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