首頁>MR0A08BCYS35R>存儲器詳情

MR0A08BCYS35R假一賠十

MR0A08BCYS35RMR0A08BCYS35R參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MR0A08BCYS35R品牌：EVERSPIN

全新原裝正品 公司現(xiàn)貨 原廠原包裝原標(biāo)簽

MR0A08BCYS35R是集成電路（IC） > 存儲器。制造商EVERSPIN/Everspin Technologies Inc.生產(chǎn)封裝TSSOP-44/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的MR0A08BCYS35R存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    MR0A08BCYS35R

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    EVERSPIN詳情

  • 廠商全稱：

    Everspin Technologies Inc.

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    23 頁

  • 文件大?。?/span>

    1279.14 kb

  • 資料說明：

    128K x 8 MRAM

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MR0A08BCYS35R

  • 制造商：

    Everspin Technologies Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP2

  • 描述：

    IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鴻瑞鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    侯先生

  • 手機(jī)：

    13717016556

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82510221

  • 傳真：

    0755-83349417

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場6504B

相近型號