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MMRF1312GSR5 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 NXP USA Inc.

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  • 廠家型號(hào)：

    MMRF1312GSR5

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NXP USA Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    NI-1230-4S GW

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 14:56:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MMRF1312GSR5品牌：NXP USA Inc.

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MMRF1312GSR5是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-1230-4S GW的MMRF1312GSR5晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    MMRF1312GSR5

  • 規(guī)格書：

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMRF1312GSR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.03GHz

  • 增益：

    19.6dB

  • 功率 - 輸出：

    1000W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230-4S GW

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230-4S GULL

  • 描述：

    TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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