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MMBV2108LT1G分立半導體產(chǎn)品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）規(guī)格書PDF中文資料

MMBV2108LT1G
廠商型號

MMBV2108LT1G
參數(shù)屬性

MMBV2108LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）；產(chǎn)品描述：DIODE TUNING SS 30V SOT-23
功能描述

Silicon Tuning Diodes
DIODE TUNING SS 30V SOT-23
文件大小

70.02 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-5 23:00:00

MMBV2108LT1G規(guī)格書詳情

MMBV2108LT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MMBV2108LT1G二極管 - 可變電容（變容器，可變電抗器）可變電容二極管可按照電子可變電容器用途進行生產(chǎn)和分類，并且廣泛用于調諧和頻率合成應用。雖然大多數(shù)二極管的結電容都隨著所施加的反向偏壓增加而減小，并且能夠用作可變電容二極管，但專門作為此類器件銷售的產(chǎn)品在生產(chǎn)和分類時特別考慮了這種用途。

These devices are designed in popular plastic packages for the high volume requirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general frequency control and tuning applications. They provide solid?state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Also available in a Surface Mount Package up to 33 pF.

Features

? High Q

? Controlled and Uniform Tuning Ratio

? Standard Capacitance Tolerance ? 10

? Complete Typical Design Curves

? Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MMBV2108LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 可變電容（變容器，可變電抗器）

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    29.7pF @ 4V，1MHz

  • 電容比條件：

    C2/C30

  • 二極管類型：

    單路

  • 不同 Vr、F 時 Q 值：

    300 @ 4V，50MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    DIODE TUNING SS 30V SOT-23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSEMI
23+
NA/
1200
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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90000
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原裝正品現(xiàn)貨
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22+
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ON Semiconductor
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