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MMBV109LT3G分立半導體產品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）規(guī)格書PDF中文資料

MMBV109LT3G
廠商型號

MMBV109LT3G
參數屬性

MMBV109LT3G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）；產品描述：DIODE TUNING SS 30V SOT-23
功能描述

Silicon Epicap Diodes
DIODE TUNING SS 30V SOT-23
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

63.29 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-7 17:45:00

MMBV109LT3G規(guī)格書詳情

MMBV109LT3G屬于分立半導體產品的二極管-可變電容（變容器可變電抗器）。由安森美半導體公司制造生產的MMBV109LT3G二極管 - 可變電容（變容器，可變電抗器）可變電容二極管可按照電子可變電容器用途進行生產和分類，并且廣泛用于調諧和頻率合成應用。雖然大多數二極管的結電容都隨著所施加的反向偏壓增加而減小，并且能夠用作可變電容二極管，但專門作為此類器件銷售的產品在生產和分類時特別考慮了這種用途。

Silicon Epicap Diodes

Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid?state reliability in replacement of mechanical tuning methods.

???????

Features

? High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies

? Controlled and Uniform Tuning Ratio

? Available in Surface Mount Package

? Pb?Free Packages are Available

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    MMBV109LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 二極管 - 可變電容（變容器，可變電抗器）

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    32pF @ 3V，1MHz

  • 電容比條件：

    C3/C25

  • 二極管類型：

    單路

  • 不同 Vr、F 時 Q 值：

    200 @ 3V，50MHz

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    DIODE TUNING SS 30V SOT-23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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