MMBTH10-7-F 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 PAM

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1+	0.088

廠家型號：
MMBTH10-7-F
產品分類：
芯片
生產廠商：
Diodes Incorporated
庫存數(shù)量：
30000
產品封裝：
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
生產批號：
24+
庫存類型：
熱賣庫存
更新時間：
2025-4-25 18:13:00

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詳細信息
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原廠料號：MMBTH10-7-F品牌：Diodes Incorporated

晶體管-分立半導體產品-原裝正品

MMBTH10-7-F是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Diodes Incorporated生產封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10-7-F晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MMBTH10-7-F
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
DIODES詳情
廠商全稱：
Diodes Incorporated
內容頁數(shù)：
3 頁
文件大?。?/span>
557.61 kb
資料說明：
NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MMBTH10-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
頻率 - 躍遷：
650MHz
功率 - 最大值：
300mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商

企業(yè)：
中天科工半導體（深圳）有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13128990370
詢價：
電話：
13128990370/微信同號
傳真：
原裝正品
地址：
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

MMBTH10-7-F 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 PAM

MMBTH10-7-F

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