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MMBT5551LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) PULSECORE/安森美

MMBT5551LT1G

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  • 廠家型號(hào)：

    MMBT5551LT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6900

  • 產(chǎn)品封裝：

    貼

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2023-10-9 11:26:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MMBT5551LT1G品牌：ON/安森美

只做原裝 實(shí)單必成

  • 芯片型號(hào)：

    MMBT5551LT1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    127.52 kb

  • 資料說明：

    High Voltage Transistors NPN Silicon

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT5551LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    北京三盛恒業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐/陳小姐

  • 手機(jī)：

    13699166460

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    19180595649/13699166460

  • 傳真：

    02887781882

  • 地址：

    北京市海淀區(qū)知春路114號(hào)華源寫字樓306

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