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MJD127T4	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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MJD127T4	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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