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MJE521

Plastic Medium??ower NPN Silicon Transistor

Thesedevicesaredesignedforuseingeneral?purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@IC =1.0Adc ?Co

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE521

SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

MJE521

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A ?ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS ?Designedforuseingeneral?purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJE521

4 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 40 VOLTS 40 WATTS

PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc ?Complementaryto

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJE521

SILICON NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MJE521

SILICON NPN TRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MJE521

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 40V 4A TO126

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE521

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 40V 4A SOT32-3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MJE521G

Plastic Medium??ower NPN Silicon Transistor

Thesedevicesaredesignedforuseingeneral?purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@IC =1.0Adc ?Co

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE521_03

SILICON NPN TRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MJE521G

包裝：管件 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 40V 4A TO126

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

晶體管資料

  • 型號：

    MJE521

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD187,BD197,D310,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    40

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJE521

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 1A，1V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS NPN 40V 4A TO126

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJE521供應商 更新時間2025-1-14 15:22:00

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