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MJD112分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD112
廠商型號

MJD112
參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

394.6 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會社官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-17 23:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    MJD112

  • 別名：

    MJD112三極管、MJD112晶體管、MJD112晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    20

MJD112規(guī)格書詳情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

? High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

? Straight Lead (IPAK, L Suffix)

? Complementary to MJD117/L.

產品屬性

  • 產品編號：

    MJD112-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CJ
TO-252
45000
6729
原裝現(xiàn)貨 低價清倉 實單可談
 詢價
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23+
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