MGF1801中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MGF1801規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
? High output power at 1dB gain compression
P1dB=23dBm(TYP.) @f=8GHz
? High linear power gain
GLP=9dB(TYP.) @f=8GHz
? High reliability and stability
APPLICATION
S to X band medium-power amplifiers and oscillators.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MGF1801
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
MICROWAVE POWER GaAs FET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
2021+ |
3000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
MITSUBISHI |
17+ |
假一賠十 |
994 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
24+ |
NA |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
MIT |
1500 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談 |
詢價 | ||||
MITSUBISHI |
24+ |
GD-24(SMT35) |
2600 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
SETSUYOAS |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
MIT |
24+ |
1250 |
詢價 | ||||
MIT |
2023+ |
14 |
詢價 | ||||
MITSUBISHI |
23+ |
假一賠十 |
996 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
GD-24 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
