MGF1601B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MGF1601B |
| 功能描述 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 文件大小 |
26.02 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
MITSUBISHI【三菱電機(jī)】 |
| 中文名稱 | 三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-16 18:15:00 |
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MGF1601B規(guī)格書詳情
High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
?S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MGF1601B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
2010+ |
GD-10 |
6000 |
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
2988 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | |||
MITSUBIS |
22+ |
GD-10 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯達(dá)集團(tuán)”專營品牌原裝正品假一罰十 |
詢價(jià) | ||
24+ |
GD-10 |
2600 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
155 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
1900 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
MIT |
2023+ |
50 |
詢價(jià) |
