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MBT3946DW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBT3946DW1T1G
廠商型號

MBT3946DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistor

文件大小

246.96 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-16 12:00:00

MBT3946DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3946DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT?23/SOT?323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363?6 surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MBT3946DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
24+
SOT363
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
ON/安森美
11+PB
SOT-363
3000
向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢
詢價(jià)
ONSEMI
1741
SOT-363
2685
只做原裝正品
詢價(jià)
ON
24+
SOT363
228000
只做原裝 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOT363
237000
原裝正品
詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOT-363
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
安森美
21+
12588
原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢量大可定
詢價(jià)
ON/安森美
2020+
NA
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ON
24+
SOT363
86200
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
詢價(jià)
ON/安森美
23+
SOT363
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
詢價(jià)