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MBT3906DW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBT3906DW1T1G
廠商型號

MBT3906DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistor

文件大小

184.75 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 19:05:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MBT3906DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi
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