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KF4N65P	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P	文件：1.08668 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF4N65P/F	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65PF	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF4N65P_15	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KSM4N65	文件：708.19 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N65	文件：709.41 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD4N65	文件：690.12 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF4N65	文件：684.15 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU4N65	文件：710.7 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LM4N65CP	文件：3.88466 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LMPI4N65	文件：805.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MDF4N65B	文件：764.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,4.0A,2.2ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI4N65B	文件：1.07589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDIS4N65B	文件：920.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,3.65A,2.2ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MS4N65	文件：667.1 Kbytes Page：6 Pages	LowOnResistance	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF4N65	文件：1.20776 Mbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSU4N65	文件：740.87 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN4N65BFP	文件：333.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	KF4N65P	K	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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更多KF4N65P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-2 14:30:00

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