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K3565中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	K3565
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type, π-MOSIV
文件大小	218.78 Kbytes
頁面數(shù)量	6 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-15 16:26:00

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 Ω (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 720 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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