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K3519PQ-XH中文資料KEC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

K3519PQ-XH
廠商型號(hào)

K3519PQ-XH

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

52.98 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 19:01:00

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K3519PQ-XH規(guī)格書詳情

General Description

The K3519PQ-XH is a Dual N-channel MOSFET designed for use as a bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration.

FEATURES

· Low on-state resistance

RDS(ON)1 = 16mΩ MAX (VGS=4.5V, IS=1.0A)

RDS(ON)2 = 17mΩ MAX (VGS=3.9V, IS=1.0A)

RDS(ON)3 = 20mΩ MAX (VGS=3.5V, IS=1.0A)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    K3519PQ-XH

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FUJI
07+
TO-220F
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