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IXTM12N90

MegaMOS FET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTM12N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

12N90

12A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

12N90

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC12N90C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Switchmodepowersupply ·DC-DCconverters ·ACmotorcontrol

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH12N90

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH12N90

HiPerFETPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFH12N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH12N90P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH12N90P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications: ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTM12N90

  • 功能描述：

    MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
24+
TO-3
15
詢價(jià)
IXYS
22+
TO263-7
30000
只做原裝
 詢價(jià)
23+
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
IXYS
21+
CAN
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
專業(yè)鐵帽
TO-3
120
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
專業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
23+
原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
23+
原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
32189
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IXTM12N90供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 9:02:00

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