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IXTH12N100Q

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IXTH12N100Q

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

IXYS

IXYS Corporation

DAM12N100D

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DAM12N100S

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

IXFH12N100

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH12N100

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH12N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH12N100F

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH12N100F

HiPerRFPowerMOSFETs

VDSS=1000V ID25=12A RDS(on)≤1.05Ω trr≤250ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Low IntrinsicRg,HighdV/dt,Lowtrr Features ?RFcapableMOSFETs ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?

IXYS

IXYS Corporation

IXFH12N100P

PolarHiPerFETPowerMOSFETs

PolarTMHiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?LowRDS(on)andQG ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Applications ?Switc

IXYS

IXYS Corporation

產品屬性

  • 產品編號：

    IXTH12N100Q

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    Q Class

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    12A（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-247（IXTH）

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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IXYS
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IXYS
1809+
TO-247
326
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IXYS/艾賽斯
23+
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
2022
TO-247
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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IXYS
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TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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更多IXTH12N100Q供應商 更新時間2025-3-21 17:15:00

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