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IXST35N120B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
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原廠(chǎng)料號(hào):IXST35N120B品牌:IXYS
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
IXST35N120B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-268-3 D?Pak(2 引線(xiàn) + 接片/TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA的IXST35N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXST35N120B
- 制造商:
IXYS
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.6V @ 15V,35A
- 開(kāi)關(guān)能量:
5mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
36ns/160ns
- 測(cè)試條件:
960V,35A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-268-3,D3Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-268AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 1200V 70A 300W TO268
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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