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IXSH24N60A

HiPerFAST IGBT

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBTwithguaranteedShortCircuitSOAcapability ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60A

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 150W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60AU1

HiPerFASTTM IGBT with Diode

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -so

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60AU1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 150W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60B

HighSpeedIGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

IXSP24N60B

HighSpeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXST24N60B

HighSpeedIGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

SPP24N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.185? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP24N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesExtremedv/dtratedHighpeakcurrentcapability

Features ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) ?CoolMOSCFDdesignedfor ?SoftswitchingPWMStages ?LC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP24N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXSH24N60A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，24A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    100ns/450ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，24A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 150W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
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原裝正品 可含稅交易
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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TO-247
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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IXYS
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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公司只做原裝正品
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多IXSH24N60A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-18 14:00:00

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