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IXGT15N120BD1

Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

Features ?Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 ?IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM

IXYS

IXYS Corporation

IXGH15N120BD1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 ?IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM

IXYS

IXYS Corporation

IXSH15N120BD1

SSeries-ImprovedSCSOACapability

HIGHVoltageIGBTwithDiode SSeries-ImprovedSCSOACapability Features ?HighBlockingVoltage ?EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses ?MOSgateturn-onfordrivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclas

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IXYS Corporation

IXST15N120BD1

SSeries-ImprovedSCSOACapability

HIGHVoltageIGBTwithDiode SSeries-ImprovedSCSOACapability Features ?HighBlockingVoltage ?EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses ?MOSgateturn-onfordrivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclas

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXGT15N120BD1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXGT15N120BD1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 11:00:00

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