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IXFX180N085

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Ap

IXYS

IXYS Corporation

IXFX180N085

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTA180N085T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA180N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTC180N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTC180N085T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXTH180N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTH180N085T

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTP180N085T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTP180N085T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFX180N085

  • 功能描述：

    MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
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原裝正品 可含稅交易
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公司只做原裝正品
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IXYS
2022+
TO-247-3
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXFX180N085供應商 更新時間2025-2-19 14:00:00

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