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IXFN120N25

Package：SOT-227-4，miniBLOC；包裝：盒 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

IXYS

IXYS Corporation

IXFQ120N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFT120N25T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX120N25

HiPerFETPowerMOSFETs

SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCcon

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N25P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?Switched-ModeandResonant-ModePowe

IXYS

IXYS Corporation

IXTK120N25

HighCurrentMegaMOSFET

HighCurrentMegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Internationalstandardpackage ?Fastswitchingtimes Applications ?Motorcontrols ?DCchoppers ?Switched-modepowersupplies Advantages ?Easyto

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IXTK120N25

HighCurrentMegaMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTK120N25P

PolarHTPowerMOSFET

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

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IXTN120N25

HighCurrentMegaMOSFET

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXFN120N25

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    盒

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    120A

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-227B

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 描述：

    MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價
IXYS
23+
MOSFETN-CH250V120ASOT-22
1690
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
IXYS
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
 詢價
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
IXYS
24+
SOT227
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
24+
SOT227
120
詢價
IXYS
1931+
N/A
18
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IXYS
1809+
SOT-227
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22+
NA
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IXYS
22+
SOT2274 miniBLOC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多IXFN120N25供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 13:02:00

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