首頁(yè)>IXFH50N20>芯片詳情

IXFH50N20_IXYS_MOSFET DIODE Id50 BVdass200賽能新源

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IXFH50N20

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/IXYS Corporation

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    56000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-10-31 10:53:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IXFH50N20品牌：IXYS

公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持

  • 芯片型號(hào)：

    IXFH50N20

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    295.27 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HIPERFET Power MOSFTETs

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IXFH50N20

  • 功能描述：

    MOSFET DIODE Id50 BVdass200

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱樺

  • 手機(jī)：

    13510673492

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13510673492

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518

相近型號(hào)