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IXFA8N50P3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFA8N50P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXFP8N50P3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFA8N50P3

  • 功能描述：

    MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IXFA8N50P3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 19:05:00

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