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IXFA30N60X	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFA30N60X	文件：212.15 Kbytes Page：5 Pages	Advance Technical Information	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：141.46 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：323.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60P	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features ●FastRecoverydiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Internationalstandardpackages ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60P	文件：337.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60Q	文件：591.42 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60Q	文件：337.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFP30N60X	文件：295.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFR30N60	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFT30N60Q	文件：591.42 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFA30N60X	IXYS	24+	TO-263(IXFA)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFA30N60X	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXFA30N60X	IXYS	1809+	TO-263	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFA30N60X	IXYS	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
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更多IXFA30N60X供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 14:14:00

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