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IXDR30N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXDR30N120參考圖片

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  • 廠家型號(hào)：

    IXDR30N120

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/IXYS Corporation

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    DIP18

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-10-24 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IXDR30N120品牌：IXYS

15年原裝正品企業(yè)

IXDR30N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝DIP18/TO-247-3的IXDR30N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXDR30N120

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大小：

    69.09 kb

  • 資料說(shuō)明：

    High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXDR30N120

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    4.6mJ（開(kāi)），3.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    600V，30A，47 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張潔

  • 手機(jī)：

    19168961949

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    19168961949

  • 傳真：

    0755-83998525

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座20層2028室

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