訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>IXBX50N360HV>芯片詳情
IXBX50N360HV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號(hào):IXBX50N360HV品牌:IXYS
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
IXBX50N360HV是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-247-3 變式的IXBX50N360HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXBX50N360HV
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 系列:
BIMOSFET?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.9V @ 15V,50A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
46ns/205ns
- 測(cè)試條件:
960V,50A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247PLUS-HV
- 描述:
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13128990370
- 詢價(jià):
- 電話:
13128990370/微信同號(hào)
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B
相近型號(hào)
- IXBT14N300HV
- IXDD604SITR
- IXBT12N300HV
- IXDD609SIA
- IXBOD2-36RD
- IXDD614CI
- IXBOD2-32RD
- IXDD614SITR
- IXBOD2-17R
- IXDD614YI
- IXBOD2-14
- IXDH20N120
- IXBOD1-26RD
- IXDI630CI
- IXBN75N170A
- IXDN404PI
- IXBN75N170
- IXDN55N120D1
- IXBN42N170A
- IXDN602PI
- IXBK75N170
- IXDN602SIATR
- IXBK64N250
- IXDN604PI
- IXBK55N300
- IXDN604SIATR
- IXBH9N160G
- IXDN604SITR
- IXBH5N160G
- IXDN609SIA
- IXBH42N250
- IXDN609SIATR
- IXBH42N170A
- IXDN75N120
- IXBH42N170
- IXDP610PI
- IXBH32N300
- IXDR30N120D1
- IXBH2N250
- IXEL40N400
- IXBH24N170
- IXF100
- IXBH20N360HV
- IXFA102N15T
- IXBH20N300
- IXFA10N60P
- IXBH16N170A
- IXFA10N80P
- IXBH16N170
- IXFA10N80P-TRL