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IXBH10N300HV

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS

IXYS Corporation

IXBH10N300HV

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 3000V 20A 140W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXBA10N300HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

IXYS

IXYS Corporation

IXBF10N300C

HighVoltage,HighFrequency,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N300

AdvanceTechnicalInformation

IXYS

IXYS Corporation

產品屬性

  • 產品編號:

    IXBH10N300HV

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,10A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    36ns/100ns

  • 測試條件:

    960V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    TO-263HV

  • 描述:

    IGBT 3000V 20A 140W TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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更多IXBH10N300HV供應商 更新時間2025-1-14 15:00:00