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IS42S16100E-6BLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6BLI

Package:60-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BLI-TR

Package:60-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6T

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TLI

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16100E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-TFBGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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BGA(60)
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專營ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
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BGA(60)
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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60-TFBGA(6.4x10.1)
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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60-TFBGA6.4x10.1
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ISSI Integrated Silicon Soluti
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