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IS42S16100E-6BLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6BLI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：60-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：60-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6T

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TLI

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42S16100E-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TFBGA（6.4x10.1）

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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BGA(60)
12000
專營ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
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BGA(60)
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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60-TFBGA6.4x10.1
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更多IS42S16100E-6BLI供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 16:55:00

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