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IS42S16100E-6BLI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IS42S16100E-6BLI |
參數(shù)屬性 | IS42S16100E-6BLI 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
功能描述 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
封裝外殼 | 60-TFBGA |
文件大小 |
1.61909 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
82 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導體有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-18 22:30:00 |
人工找貨 | IS42S16100E-6BLI價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS42S16100E-6BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM
- 存儲容量:
16Mb(1M x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
60-TFBGA
- 供應商器件封裝:
60-TFBGA(6.4x10.1)
- 描述:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
TSOP50 |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
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60TFBGA (6.4x10.1) |
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