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IS42S16100E-6BLI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS42S16100E-6BLI
廠商型號

IS42S16100E-6BLI

參數(shù)屬性

IS42S16100E-6BLI 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

功能描述

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

封裝外殼

60-TFBGA

文件大小

1.61909 Mbytes

頁面數(shù)量

82

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-18 22:30:00

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IS42S16100E-6BLI價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16100E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    60-TFBGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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