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IS41LV16100B-60TLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS41LV16100B-60TLI
廠商型號

IS41LV16100B-60TLI
參數屬性

IS41LV16100B-60TLI 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II
功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
封裝外殼

44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
文件大小

143.69 Kbytes
頁面數量

22 頁
生產廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-3-6 18:41:00
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IS41LV16100B-60TLI價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨

IS41LV16100B-60TLI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

? Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply: 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

? Lead-free available

產品屬性

  • 產品編號：

    IS41LV16100B-60TLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    DRAM - EDO

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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