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IS41C8200中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS41C8200
廠商型號

IS41C8200

功能描述

2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

159.03 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-14 14:38:00

IS41C8200規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSI IS41C8200 and IS41LV8200 are 2,097,152 x 8-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelarated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-bit word.

FEATURES

? Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval: -- 2,048 cycles/32 ms

? Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? Single power supply: 5V±10 or 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial temperature range -40°C to 85°C

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS41C8200

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全稱:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    2M x 8(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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