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IS41C4400X中文資料北京矽成數據手冊PDF規(guī)格書

IS41C4400X
廠商型號

IS41C4400X

功能描述

4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

158.88 Kbytes

頁面數量

19

生產廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-29 16:02:00

IS41C4400X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-bit word.

FEATURES

? Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval:

– 2,048 cycles/32 ms

– 4,096 cycles/64 ms

? Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? Single power supply:

– 5V±10 or 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial temperature range -40°C to 85°C

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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