首頁>IRGSL30B60KPBF>詳情

IRGSL30B60KPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGSL30B60KPBF參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IRGSL30B60KPBF品牌：Infineon Technologies

原裝正品，支持實(shí)單

IRGSL30B60KPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO262/TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA的IRGSL30B60KPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IRGSL30B60KPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    385.77 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGSL30B60KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），825μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    46ns/185ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT 600V 78A 370W TO262

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    13570897296

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

相近型號(hào)