IRGSL10B60KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
IRGSL10B60KDPBF
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Infineon Technologies
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
TO-262-3 長(zhǎng)引線 I?Pak TO-26
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時(shí)間：
2025-1-10 14:52:00

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原廠料號(hào)：IRGSL10B60KDPBF品牌：Infineon Technologies

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IRGSL10B60KDPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-262-3 長(zhǎng)引線 I?Pak TO-26/TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA的IRGSL10B60KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
IRGSL10B60KDPBF
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
IRF詳情
廠商全稱：
International Rectifier
內(nèi)容頁數(shù)：
15 頁
文件大?。?/span>
365.94 kb
資料說明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IRGSL10B60KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，10A
開關(guān)能量：
140μJ（開），250μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
30ns/230ns
測(cè)試條件：
400V，10A，47 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
描述：
IGBT NPT 600V 22A TO262

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機(jī)：
13530520535
詢價(jià)：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

IRGSL10B60KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGSL10B60KDPBF

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