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IRGPF50F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A)

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRF

International Rectifier

IRGPF50F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRGPF50F

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGPF50F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,28A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT FAST 900V 51A TO-247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝現(xiàn)貨
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更多IRGPF50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 10:00:00