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IRGP6650D-EPBF

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 50A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGP6650DPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

IRF

International Rectifier

KNF6650A

15A竊?00VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

KNP6650A

15A竊?00VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

KNX6650A

15A竊?00VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

LT6650

Micropower,400mVReferencewithRail-to-RailBufferAmplifierinSOT-23

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT6650

1.5ppmCDrift,LowNoise,BufferedReference

LINEAR

Linear Integrated Systems

LT6650

SOT-23PrecisionWideSupplyHighOutputDriveLowNoiseReference

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT6650

Micropower,400mVReferencewithRail-to-RailBufferAmplifierinSOT-23

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

MAN6650

0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGP6650D-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    300μJ（開），630μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    40ns/105ns

  • 測試條件：

    400V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 50A TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon
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N/A
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NA
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Infineon Technologies
24+
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5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IRGP6650D-EPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 10:18:00

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