IRGBF20分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠(chǎng)商型號(hào) |
IRGBF20 |
參數(shù)屬性 | IRGBF20 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FAST 900V 20A TO-220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
255.19 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IRF |
中文名稱(chēng) | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-10 17:17:00 |
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Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
Features
? Switching-loss rating includes all tail losses
? Optimized for medium operating frequency ( 1 to
10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRGBF20F
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
4.3V @ 15V,5.3A
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
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IR |
23+ |
TO |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |