首頁>IRG4BC30K-STRR>芯片詳情

IRG4BC30K-STRR_IR/國(guó)際整流器_IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT向鴻偉業(yè)電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IRG4BC30K-STRR

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    430

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-9 9:14:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):IRG4BC30K-STRR品牌:IR

原裝正品/假一罰十/支持樣品/可開發(fā)票

  • 芯片型號(hào):

    IRG4BC30K-STRR

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IR【國(guó)際整流器】詳情

  • 廠商全稱:

    International Rectifier Corporation,IRC

  • 中文名稱:

    美國(guó)國(guó)際整流器公司

  • 資料說明:

    IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    IRG4BC30K-STRR

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機(jī):

    13751179224

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82561519/0755-82567969/18928435545

  • 傳真:

    0755-82561519

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室