首頁>IRG4BC20UDSTRRP>規(guī)格書詳情
IRG4BC20UDSTRRP中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRG4BC20UDSTRRP規(guī)格書詳情
Features
? UltraFast: Optimized for high operating frequencies
8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant
mode
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than
Generation 3
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
? Industry standard D2Pak package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies
available
? Optimized for specific application conditions
? HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
? Designed to be a drop-in replacement for
equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產品屬性
- 型號：
IRG4BC20UDSTRRP
- 功能描述：
IGBT 模塊 600V 13A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1644+ |
N/A |
6 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
InternationRectifer |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原裝 假一賠十 |
詢價 | ||
Infineo |
2020+ |
N/A |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
334 |
詢價 | |||
INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
NA |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價熱賣,有單詳談 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 |
