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IRFS640A	文件：325.6 Kbytes Page：7 Pages	Rugged Gate Oxide Technology FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V LowerRDS(ON):0.144(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS640A	文件：59.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS640A	文件：304.43 Kbytes Page：6 Pages	Improved gate charge	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFS640B	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS640B	文件：23.17 Kbytes Page：1 Pages	200VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenminimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provid	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
IRFS640B	文件：1.68999 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFW640	文件：703.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFW640B	文件：703.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL640	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL640	文件：247.41 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640	文件：412.4 Kbytes Page：5 Pages	HEXFETPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRL640	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL640A	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18? ID=18A FEATURES ?Logic-LevelGateDrive ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=20	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL640A	文件：280.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL640PBF	文件：930.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.18廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL640PBF	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitiveavalancherated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFS640A
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFS640A	FAIRCHILD	24+	TO-220F	118		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFS640A	FAIRCHILD	2016+	TO-220F	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IRFS640A	FAIRCHILD	22+	220	2560	絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣(mài)!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFS640A	進(jìn)口廠家	23+	TO-220	21000	特價(jià)庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	IRFS640A	IR	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRFS640A	FAIRCHILD	2020+	TO-220F	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFS640A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IRFS640A	FSC	19+	TO-220F	75082	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	IRFS640A	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFS640A	FSC	2020+	TO-220	5000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)

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