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IRFR18N15D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFR18N15D規(guī)格書詳情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)
3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFR18N15D
- 功能描述:
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+24 |
TO-252 |
59630 |
主營(yíng)原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場(chǎng)效應(yīng)管 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
原廠封裝 |
9450 |
原裝正品,實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
DPAK |
10000 |
原裝,品質(zhì)保證,請(qǐng)來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
400 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2015+ |
D-Pak |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長(zhǎng)期供應(yīng) |
詢價(jià) |