首頁(yè)>IRFR12N25DPBF>規(guī)格書詳情

IRFR12N25DPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFR12N25DPBF
廠商型號(hào)

IRFR12N25DPBF

功能描述

SMPS MOSFET

文件大小

3.84664 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-6 20:00:00

IRFR12N25DPBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR12N25DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
3830
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢價(jià)
IR
22+
TO-252
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
IR
TO-252
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價(jià)
IR
06+
TO-252
2038
詢價(jià)
IR
22+
原廠封裝
15850
原裝正品,實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系
詢價(jià)
IR
22+23+
TO-252
26869
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
23+
TO-252
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
TH/韓國(guó)太虹
2048+
TO-252
9851
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價(jià)
IR
24+
TO-252
2038
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
IR
20+
DPAK
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢價(jià)