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IRFR12N25DPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A )

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

SMPS MOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR12N25D

SMPS MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFR12N25DTRPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRFR12N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-252
2038
只做原廠渠道 可追溯貨源
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原廠封裝
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原裝正品,實單請聯(lián)系
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專業(yè)優(yōu)勢供應
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更多IRFR12N供應商 更新時間2025-1-23 9:24:00